Sistema di Prova e Metodologia di Test
Per i test abbiamo utilizzato la seguente configurazione:
Abbiamo eseguito i test impostando il Base Clock della nostra CPU alla frequenza di default (100 MHz), quindi abbiamo proceduto inizialmente ad eseguire i nostri test semplicemente modificando i divisori delle RAM sulla nostra piastra madre. Vi riportiamo di seguito i settaggi utilizzati:
- 1333 MHz timing 7-7-7-18
- 1600 MHz timing 8-8-8-20
- 1600 MHz timing 9-9-9-24
La CPU (i7 2600K) non è stata overcloccata e la sua frequenza è rimasta a default (3.4GHz), inoltre non sono stati modificati i parametri di risparmio energetico e quelli relativi alla tecnologia Turbo Boost.
Infine, aumentando il BCLK siamo riusciti a portare le RAM a 1660 MHz senza però modificare i voltaggi e le latenze rispetto al settaggio di default. In questo caso però la frequenza della CPU è aumentata fino ad arrivare a 3,95GHz.
E' importante far notare che i settaggi a 1333 MHz e 1600 MHz sono risultati stabili anche con voltaggi al di sotto delle specifiche tecniche dichiarate, utilizzando questi settaggi infatti siamo riusciti a concludere 10 cicli dello stress test Linx utilizzando solo 1.57 V. Inoltre, durante tutta la sessione di test, non è stato necessario modificare il voltaggio VCCIO che è rimasto quindi a 1.05 V. Ricordiamo che tale impostazione si riferisce al voltaggio del controller di memoria integrato.
Come sempre vi ricordiamo inoltre cosa si intende per timing di accesso, i cui valori si possono impostare dal BIOS della scheda madre:
- CasLatency Time (TCL): durante un’operazione di lettura, rappresenta l'intervallo di tempo tra l'istante in cui il comando di lettura giunge ad una certa cella di memoria e quello in cui inizia il trasferimento dei dati. La denominazione è dovuta al fatto che, per individuare la cella di memoria, l'indirizzo di colonna viene selezionato sempre per ultimo (tramite il segnale Cas), successivamente a quello di riga.
- Ras to Cas Delay Time (TRCD): costituisce l'intervallo di tempo che passa tra l'attivazione della riga e della colonna che identificano la cella di memoria in cui si vuole leggere o scrivere il dato, cioè il ritardo del segnale Cas rispetto al segnale Ras.
- Ras Precharge Time (TRAS): rappresenta il periodo di tempo in cui una certa riga è attiva, prima che giunga il segnale precharge.
- RowPrecharge Timing (TRP): questo settaggio BIOS specifica il minimo ammontare di tempo tra due successive attivazioni allo stesso modulo DDR. Minore è l'intervallo, più velocemente il prossimo banco di memoria può essere attivato in fase di lettura o scrittura.